В Сибири изобрели самую быструю флешку в мире

Флеш-память с использованием мультиграфена, превосходящая существующие аналоги по скорости и времени хранения информации, была создана учеными из Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, сообщает ВашГород.ru со ссылкой на «Науку в Сибири».

Работает флеш-память благодаря впрыскиванию и хранению электрического заряда в мультиграфене — запоминающей среде. Кроме того, ее необходимыми компонентами являются туннельный и блокирующий слои. 

Туннельный слой изготовлен из оксида кремния, блокирующий — из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости. 

«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», — поясняют ученые-физики. 

Флеш-память на основе мультиграфена проходит различные исследования, поэтому говорить о ее масштабном производстве пока рано. 

Фото: pixabay