30 августа 2016, 13:45
В Сибири изобрели самую быструю флешку в мире
Флеш-память с использованием мультиграфена, превосходящая существующие аналоги по скорости и времени хранения информации, была создана учеными из Института физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН, сообщает ВашГород.ru со ссылкой на «Науку в Сибири».
Работает флеш-память благодаря впрыскиванию и хранению электрического заряда в мультиграфене — запоминающей среде. Кроме того, ее необходимыми компонентами являются туннельный и блокирующий слои.
Туннельный слой изготовлен из оксида кремния, блокирующий — из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.
«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», — поясняют ученые-физики.
Флеш-память на основе мультиграфена проходит различные исследования, поэтому говорить о ее масштабном производстве пока рано.
Фото: pixabay
22:50
25 апреля 2024
Алтай
21:15
25 апреля 2024
Алтай
21:15
25 апреля 2024
Алтай
20:30
25 апреля 2024
Алтай
19:33
25 апреля 2024
Алтай
19:16
25 апреля 2024
Алтай
19:13
25 апреля 2024
Алтай
18:41
25 апреля 2024
Алтай
18:07
25 апреля 2024
Алтай
17:12
25 апреля 2024
Мир
17:03
25 апреля 2024
Алтай
16:39
25 апреля 2024
Россия
16:01
25 апреля 2024
Алтай
15:39
25 апреля 2024
Алтай
- Страница 1
- ››